A133 上的三个内存选项
A133 支持 DDR3 / DDR4，不同版本的参考设计也出现过 LPDDR3。三条路线的现实差异：
- DDR3：成本最低、方案最成熟，但近年大容量 DDR3 的供应与价格波动明显，长期项目要评估供货连续性。
- DDR4：8Gb die 供应更稳、单位容量成本更低，1.2V 供电，功耗优于 DDR3；代价是需要重新做 DDR bin 与板级验证。
- LPDDR3：封装小、功耗低，但料号生命周期偏短，适合短周期消费类项目。
对寿命 3 年以上的商显/闸机项目，DDR4 8Gb 通常是更稳的选择——1GB 容量在 Android 11 Go 或 Linux + 商显应用下是舒适区。
8Gb 的组织方式与带宽
PSD4N0B3A-08G 支持 x8 与 x16 两种组织。A133 侧按 32-bit 总线配 4 颗 x8 或 2 颗 x16，3200Mbps 下理论带宽约 12.8GB/s；实际商显负载（UI 合成、视频解码、外设）用不到一半，余量充足。
注意 A133 的 DDR 频率上限与固件配置相关，多数量产板收敛在 2400~2666Mbps。跑 3200 需要板级信号质量支撑，并且要在固件里确认 DDR 训练通过，不要只看颗粒标称。
从 DDR3 迁到 DDR4 的三处硬改
这不是换料，是设计变更。三处必须改：
- 供电：DDR3 是 1.5V（或 DDR3L 1.35V）+ 0.75V VREF 分压，DDR4 是 1.2V，VREF 由 SoC 内部生成（部分平台还需 VPP 2.5V）。电源树要重画。
- 拓扑：DDR4 的 ADDR/CMD 用 fly-by，端接电阻的位置与阻值按平台参考设计放，不要沿用 DDR3 的星型。
- 固件：DDR bin 必须重生成，包含 tRFC、刷新率、ODT 与驱动强度；这一步没做好，会出现「常温正常、高温偶发」的经典问题。
四层板能不能做 DDR4-3200
能做，但要守纪律：完整地平面、单端 40Ω、DQ 组内 ±5mil、CLK/ADDR ±50mil、VREF 与 ZQ 就近。四层板做 3200 的难点不在走线而在电源——1.2V 主路的纹波与去耦要够，颗粒就近 0.1µF + 1µF，入口 10µF 以上。
如果结构允许，六层板（信号-地-信号-电源-地-信号）会把裕量拉开一档，量产一致性更好，长期看比省两层板更划算。
验证与量产
朴思 DDR4 已在 A133 平台验证并批量出货。整机厂替换时，保持容量、位宽、频率配置一致，复用平台参考 DDR bin，再做一轮 48 小时高低温循环 + 反复上下电即可。
出货侧，朴思对每颗颗粒做三级测试与 DVS 边界扫描，测试数据进 MES；商显客户的常见诉求是「同批次一致性」，这套数据正好能回答。
同平台族 AVL 型号对照
同一主控厂商的不同档位平台，内存接口差别很大。下表按平台族列出常见主控及其内存类型，以及朴思在该平台族可对应的料号——具体容量、位宽与频率配置，以各平台 datasheet 与项目确认为准。
| Allwinner A133 / A64 | DDR3 / DDR4 | PSD4N0B3A-08G（已验证）· PSD3S0B1A-02G |
|---|---|---|
| Allwinner H618 / H616 / H313 | DDR3 / DDR4 | PSD4N0B3A-08G · PSD3N0B1A-04G |
| Allwinner F133 / D1 | DDR2 / DDR3 | PSD3S0B1A-02G · PSD3Y1B0A-01G |
| Allwinner V853 / V821 | DDR2 / DDR3 | PSD3Y1B0A-01G · SD NAND |
| RK3566 / RK3562 | DDR3 / DDR4 · LPDDR4/4X | PSD4N0B3A-08G |
常见问题
A133 能上 2GB 吗？
需要更大容量 die 或双颗并联，同时确认 SoC 支持的最大容量与地址空间；A133 主流配置仍是 1GB。
DDR3 的板子能直接贴 DDR4 吗？
不能，封装虽同为 96-ball 但供电、VREF 与拓扑完全不同，必须改板。
3200 跑不满怎么办？
先看板级阻抗与等长，再核 DDR bin 的频率与 training 结果；多数问题是信号质量，不是颗粒。