一个通道，一颗颗粒
RV1106 的外挂内存是 16-bit 单通道，容量上限 1GB，实际产品以 128MB / 256MB 为主。PSD3Y0B0A-01G 正好是 1Gb（128MB）、64M x16 的单颗方案，一颗就能把总线填满，不需要并联，布线最简。
1600MT/s 下 16-bit 总线带宽约 3.2GB/s。对 1080p 编码 + 轻量人形/人脸检测的 IPC 来说够用；如果要跑 2K 以上或双路，RV1106 本身就不是合适的选择，应上 RV1126B 或更高阶平台。
1.5V 还是 1.35V：这颗料的口径要说清
RV1106 平台的 DDR 供电常见两种做法：1.5V（DDR3）与 1.35V（DDR3L）。PSD3Y0B0A-01G 是 1.5V DDR3，配套的电源与 VREF 分压按 1.5V 设计（VREF = 0.75V）。
如果项目要省电、走 DDR3L 路线，对应的是 N0 系列 1.35V 料号（如 PSD3N0B0A-01G），电源与 VREF 必须同步改到 0.675V。两者不能混贴，也不存在「1.35/1.5V 通用」的说法——这是选型表里最容易被写错的一行，写错就是整批板子返工。
800MHz 固件适配：三个参数决定成败
RV1106 的 DDR 初始化参数来自 SoC 侧的 DDR bin（固件）。把颗粒换到朴思这颗后，需要在平台工具里按 800MHz（1600MT/s）重新生成参数，重点看三处：
- tRCD / tRP / tRAS：按颗粒规格书的最小值加一档裕量，不要照抄参考工程的保守值，否则高低温下容易训练失败。
- 刷新率 tREFI 与温度补偿：IPC 常年在密闭小壳里工作，颗粒温度高，tREFI 要按高温档配置（加倍刷新），这是「跑几小时后花屏」的典型根因。
- ODT / 驱动强度：单颗点对点拓扑，ODT 建议关或取高阻，驱动强度按实际走线长度选，过强会让回波恶化。
朴思的 RV1106 兼容性测试方案（V2.1）把这些做成了流程：先用平台原生 Memory Test 做 Data Bus / Address Bus / Memory Device 三级测试，再用 DVS 电压调节做标称、±5%、极限三档压力，配合 Intra-Die 与 Inter-Die 比对，最后按测试结果分级出货。
热设计：小壳子里的隐性成本
RV1106 模组通常塞在球机或门铃的小壳里，散热条件差。DDR3 的 1.5V 供电比 DDR3L 多出的那点功耗，在密闭空间里会体现为颗粒温度高出 3~5℃。选 1.5V 方案时，务必在整机高温老化（如 60℃ 环境跑 24 小时）后再复测一次内存误码，而不是只做常温测试。
PSD3Y0B0A-01G 标称 0℃ ~ 85℃，扩展可到 95℃，配合刷新率补偿可以覆盖多数室内 IPC 场景；户外机型建议直接选工业档或走 DDR3L 低压路线。
同平台族 AVL 型号对照
同一主控厂商的不同档位平台，内存接口差别很大。下表按平台族列出常见主控及其内存类型，以及朴思在该平台族可对应的料号——具体容量、位宽与频率配置，以各平台 datasheet 与项目确认为准。
| RV1106 / RV1103 | 16-bit DDR2/DDR3/DDR4 外挂（最大 1GB） | PSD3Y0B0A-01G（1.5V）· PSD3N0B0A-01G（1.35V） |
|---|---|---|
| RV1106B / RV1126B | DDR2 / DDR3 外挂或 SIP 内置 64–256MB | PSD3Y0B0A-01G · PSD3N0B0A-01G |
| RK3562 | DDR3 / DDR4 · LPDDR4/4X | PSD3S0B1A-02G |
| RK3506 / RK3308 | DDR2 / DDR3（外挂）或 SIP 内置 | PSD3Y1B0A-01G |
| SSC378G / SSC377 | 16/32-bit DDR3 / DDR3L | PSD3N0B0A-01G（官方验证） |
常见问题
RV1106 能上 256MB 以上吗？
SoC 侧最大支持到 1GB，实际取决于型号与固件；容量越大地址线越多，DDR bin 需重配。
能直接用 1.35V 的 N0 料号替换吗？
不能直接替换。N0 是 DDR3L，需要把 VDD/VDDQ 与 VREF 改到 1.35V/0.675V，属电源设计变更。
为什么跑几小时后会花屏？
优先查 tREFI 与温度补偿是否按高温档配置，其次查颗粒表面温度与电源纹波，最后才怀疑颗粒本体。