T23 电池门铃：朴思 PSD3Y0B0A-01G（DDR3 1Gb·1866）自刷新功耗账

（一）T23 的内存接口长什么样

T23 是君正针对低成本与低功耗场景的 IPC 平台，内存 16-bit DDR2/DDR3，容量常在 64–128MB。电池类产品（门铃、猫眼）用它做常开低功耗方案。

T23 的官方描述是「DDR2 / DDR3（16-bit）」。能不能挂、能挂多少，先由这两项决定；其余参数都在此之后才谈得上优化。低功耗场景里，DDR 的自刷新电流直接决定电池续航，比容量更值得算。

电池门铃算内存账的方式和插电 IPC 完全不同：不是算带宽峰值，而是算平均自刷新电流乘以待机小时数。

（二）带宽算术：16-bit × 1866Mbps 到底是多少

T23 配 16-bit（1 × x16） 时，标称带宽为 16 × 1866 ÷ 8 ≈ 3.7 GB/s，双向 7.5 GB/s。这些带宽要分给：事件触发的短时录像、待机期间的图像侦测、低帧率预览

别忘了利用率：T23 的实测带宽利用率一般在 45%–58%，即 3.7 GB/s 里真正能用 1.7 GB/s 左右。16-bit × 1866Mbps 约 3.7GB/s，短时录像场景完全够用；待机时的功耗才是这类产品的核心指标。 一开始就按满带宽规划的项目，几乎都改过规格。

容量不能只看颗粒型号：T23 单颗 1Gb（128MB），单颗 16-bit 128MB，足以覆盖事件录像的缓冲需求。

（三）为什么配 PSD3Y0B0A-01G

PSD3Y0B0A-01G 是 DDR3 1Gb（128MB） 的 x16 器件，96-ball FBGA 封装，工作温度 -25℃ ~ 85℃。1Gb x16 单颗 128MB，容量与功耗平衡得最好；DDR3-1866 在 1.5V 下带宽比 1600 档高约 17%，突发录像更从容

这颗是 1.5V DDR3。电池类产品若整机功耗吃紧，可评估 DDR3L 档（1.35V），但要接受供电设计改动。

电池产品的 BOM 里，内存单项成本占比不高，但功耗影响续航，选型时要按「每毫瓦换多少待机天数」来算。

（四）验证状态与导入路径

导入路径比参数更影响进度，这一步最好提前问清。

君正 T 系列在朴思平台验证名录内，DDR3 1Gb 按参考设计配套；电池类产品的自刷新功耗建议按实测数据核对。

低功耗项目导入时，把「待机 72 小时 + 事件唤醒 200 次」作为标准测试项，能覆盖绝大多数真实使用场景。

（五）硬件设计要点

下面五条是量产前必须逐项确认的清单。

• 1.5V 供电边界：DDR3 器件工作在 1.5V±0.075V，供电裕量比 DDR3L 小，LDO 的负载调整率要按满载瞬变复核，别只看空载输出。
• ZQ 校准：ZQ 电阻 240Ω ±1%，走线尽量短并远离高速信号；校准周期按平台固件设定，不要自行缩短，会拉低有效带宽。
• 驱动强度：DDR3 的输出驱动强度可调，默认配置偏保守；走线短的小板可适当降低驱动，改善过冲与 EMI。
• 端接电源：VTT 端接电源的跟踪能力要跟得上 VREF，跟踪偏差超过 2% 就会吃掉时序裕量；用专用端接芯片比电阻分压稳。
• 回流通路：高速信号换层时旁边要有地过孔，回流路径断开会让辐射与串扰同时恶化，这类问题在整改阶段最费钱。

（六）量产测试：把「能用」变成「每批都一样」

测试环节最容易省，也最容易在半年后付出代价。

DDR3 存量项目最怕的是「换批就变」。朴思对 DDR3 料号按批次做高温 85℃ 连续读写与低温冷启动双向筛查，并把每一批的误码分布留在 MES 里；换料时拿同一套压力条件复测，问题定位会快很多。

有基线数据在手，后续任何一次改动带来的偏差都能第一时间被发现，而不是等到现场返修。

（七）测试数据怎么看

针对存量替换场景，我们会把原料与新料放在同一台测试机上跑同一套压力条件，出对比报告；差异在哪个电压点、哪个温度段，一目了然。

同平台族 AVL 型号对照

下面这张表按平台族整理，用来看「同厂其他型号能不能复用同一颗料」；最终配置仍以各平台 datasheet 为准。

T41 车规线	DDR3 宽温	PSD3N0B1A-04G
T41 / T40 / T33	DDR2 / DDR3 / DDR3L / LPDDR2/3	PSD3N0B1A-04G · PSD3Y0B0A-01G
T31 / T23	DDR2 / DDR3	PSD3S0B1A-02G · PSD3N0B0A-01G
X2600 / X2000	SiP DDR3 64–512MB	外挂档 PSD3Y1B0A-01G
C100 / CW080	小容量 SiP / DDR-less	配 SD NAND / eMMC