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PSD3N0B1A-04G 国产替代选型

DDR3L 4Gb · 256Mb x16 · DDR3L-2133 · 96-ball TFBGA 8.00×13.00mm · 状态:量产中(2133 / 1866 / 1600 三档)

Plusetech

PSD3N0B1A-04G 规格(以官方规格书为准)

项目参数 / 说明
容量 / 组织4Gb / 256Mb x16(同 die 另有 512Mb x8 组织)
速率档DDR3L-2133(14-14-14)/ 1866(13-13-13)/ 1600(11-11-11)
电压VDD & VDDQ 1.35V(-0.067/+0.1V);1.35V DDR3L 向后兼容 1.5V DDR3 器件(规格书 NOTE 2)
封装96-ball TFBGA 8.00 × 13.00mm,0.80mm ball pitch(x8 组织为 78-ball 8.00 × 10.50mm)
工作温度Commercial 0℃ ~ 95℃;-T(准工业)/ -I(工业)可选 -40℃ ~ 95℃
高温刷新Tc > 85℃ 需 2 倍外部刷新(3.9µs 间隔),并启用扩展 SRT 或 ASR(规格书 NOTE 3)
架构8 Banks · 8n 预取 · 差分 CK/DQS · ODT · ZQ 校准 · 异步 RESET · 写均衡
同系列容量档PSD3S0B1A-02G(2Gb x16)/ PSD3N0B0A-01G(1Gb x16),同为 1.35V DDR3L
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原厂料号为公开市场资料中的同规格系列代表型号,具体速率/温度后缀与 die 版本以各原厂 datasheet 为准;跨品牌替代必须经双方 FAE 核对完整料号与时序参数后确认,本文不构成替代承诺。PS 系列参数以朴思官方规格书为最终依据。

Cross Reference

可对照的原厂同规格系列料号

同规格档位下,公开市场资料中的原厂系列代表料号

原厂品牌系列 / 代表料号说明
美光 MicronMT41K256M16 系列4Gb 256M x16 DDR3L,96-ball TFBGA;代表料号 MT41K256M16TW-107 = DDR3L-1866 CL13、0~95℃。注意美光该系列封装外形为 8.00 × 14.00mm,朴思为 8.00 × 13.00mm,同为 96-ball 0.80mm pitch、JEDEC 引脚定义,替换前需核对焊盘与应力
三星 SamsungK4B4G1646 系列4Gb 256M x16 DDR3,96-FBGA;该系列以 1.5V DDR3 为主(B/D/E-die 覆盖 1600~2133),DDR3L 1.35V 档为 K4B4G1646Q(Q-die)。速度档后缀以三星 datasheet 为准
SK 海力士H5TC4G63 系列4Gb 256M x16 DDR3L,96-ball FBGA;代表料号 H5TC4G63EFR-RDA = DDR3L-1866 13-13-13、0~95℃。注意 H5TQ4G63 是 1.5V DDR3,与 H5TC4G63(1.35V DDR3L)不可混用

原厂料号为公开市场资料中的同规格系列代表型号,具体速率/温度后缀与 die 版本以各原厂 datasheet 为准;跨品牌替代必须经双方 FAE 核对完整料号与时序参数后确认,本文不构成替代承诺。PS 系列参数以朴思官方规格书为最终依据。

Verification

平台验证与配套

验证

验证情况

适用于内存控制器为 16-bit、容量需求在 2Gb 与 8Gb 之间的平台:工业 HMI、NVR、机顶盒、光猫/路由器、车载记录设备与长周期工控主板。1Gb/2Gb 不够用、8Gb 又用不上的中间档位,是 4Gb x16 的主战场。验证与送样联系商务。

配套

相关资源

规格书下载中心(全系列 Datasheet PDF) · 平台 AVL 选型指南(50+ 平台对照表) · 存储选型白皮书(五步选型法与询价八问) · 产品中心 · 常见问题

Workflow

替代导入四步

STEP 1

锁定完整料号

确认在用原厂料号的完整后缀(含速率档、温度档与包装),不同后缀不能混用。

STEP 2

FAE 逐项比对

对照容量、组织方式、位宽、速率、电压、封装引脚与 die 版本,输出可比对结论。

STEP 3

样品验证

送样上板,覆盖高低温与长时间烤机,逐批测试数据供 IQC 归档。

STEP 4

批量导入

验证通过后录入 BOM 作为二供;长周期项目可锁定价格与产能。

FAQ

常见问题

Q1

4Gb 单颗(256Mb x16)和两颗 2Gb(128M x16)怎么选?

同样得到 4Gb 总容量、同样 16-bit 总线:单颗 4Gb 省一颗料号与一组 CS/ODT 走线,BOM 与 layout 更简单;两颗 2Gb 在供货弹性上更灵活。新设计优先单颗,老板沿用两颗需核对 CS 映射。

Q2

这颗料能直接上 1.5V 平台吗?

可以——规格书 NOTE 2 明确 1.35V DDR3L 向后兼容 1.5V DDR3 器件。但若是原生 1.5V 设计且需要长期稳定跑 1.5V,建议按规格书供电章节复核,或选 PSD3Y0B0A-01G / PSD3Y1B0A-01G(原生 1.5V DDR3)。

Q3

替代美光 MT41K256M16 要改板吗?

引脚符合 JEDEC DDR3 96-ball 标准,但两者封装外形不同(美光 8.00 × 14.00mm,朴思 8.00 × 13.00mm)。焊盘设计需按朴思封装图复核,建议先送样做应力与焊接可靠性验证,不要直接照搬焊盘。

Q4

海力士 H5TC4G63 和 H5TQ4G63 有什么区别?

H5TC = 1.35V DDR3L,H5TQ = 1.5V DDR3,两者后缀再像也不能互替。这是替代选型里最常见的误判——只对了容量和位宽,电压档选错。