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PSD3Y1B0A-01G 国产替代选型

DDR3 1Gb · 64M x16 · DDR3-1600 · 96-ball VFBGA · 状态:量产中(Y1 = 第 2 代 die)

Plusetech

PSD3Y1B0A-01G 规格(以官方规格书为准)

项目参数 / 说明
容量 / 组织1Gb / 64M x16
速率档DDR3-1600(800MHz)
电压VDD & VDDQ 1.5V ± 0.075V(单电压档,以规格书为准)
封装96-ball VFBGA
工作温度0℃ ~ 85℃(扩展 85~95℃)
同类料号PSD3Y0B0A-01G(DDR3 1Gb x16,第 1 代 die,最高 1866Mbps)
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原厂料号为公开市场资料中的同规格系列代表型号,具体速率/温度后缀与 die 版本以各原厂 datasheet 为准;跨品牌替代必须经双方 FAE 核对完整料号与时序参数后确认,本文不构成替代承诺。PS 系列参数以朴思官方规格书为最终依据。

Cross Reference

可对照的原厂同规格系列料号

同规格档位下,公开市场资料中的原厂系列代表料号

原厂品牌系列 / 代表料号说明
美光 MicronMT41J64M16 系列1Gb 64M x16 DDR3(1.5V),96-FBGA
三星 SamsungK4B1G1646 系列(1.5V 档后缀)1Gb x16 DDR3,96-FBGA(速率/温度后缀以三星 datasheet 为准)
SK 海力士H5TQ1G63 系列1Gb DDR3 x16(1.5V 档),96-FBGA(后缀料号以海力士 datasheet 为准)

原厂料号为公开市场资料中的同规格系列代表型号,具体速率/温度后缀与 die 版本以各原厂 datasheet 为准;跨品牌替代必须经双方 FAE 核对完整料号与时序参数后确认,本文不构成替代承诺。PS 系列参数以朴思官方规格书为最终依据。

Verification

平台验证与配套

验证

验证情况

与 PSD3Y0B0A-01G 同为 1.5V DDR3 1Gb x16 料号:Y0 对应第 1 代 die(最高 1866Mbps),Y1 对应第 2 代 die(1600Mbps 档)。按平台速率需求选择,验证与送样联系商务。

配套

相关资源

规格书下载中心(全系列 Datasheet PDF) · 平台 AVL 选型指南(50+ 平台对照表) · 存储选型白皮书(五步选型法与询价八问) · 产品中心 · 常见问题

Workflow

替代导入四步

STEP 1

锁定完整料号

确认在用原厂料号的完整后缀(含速率档、温度档与包装),不同后缀不能混用。

STEP 2

FAE 逐项比对

对照容量、组织方式、位宽、速率、电压、封装引脚与 die 版本,输出可比对结论。

STEP 3

样品验证

送样上板,覆盖高低温与长时间烤机,逐批测试数据供 IQC 归档。

STEP 4

批量导入

验证通过后录入 BOM 作为二供;长周期项目可锁定价格与产能。

FAQ

常见问题

Q1

PSD3Y1B0A-01G 与 PSD3Y0B0A-01G 有什么区别?

同属 DDR3 1Gb 64M x16、1.5V 单电压:Y0 为第 1 代 die、速率最高 1866Mbps;Y1 为第 2 代 die(Y Die 2nd generation)、1600Mbps 档。命名规则与参数以官方规格书为准。

Q2

这颗料支持 1.35V DDR3L 平台吗?

不支持——1.5V 单电压档。1.35V DDR3L 平台请选 PSD3N0B0A-01G(1Gb x16)或 PSD3S0B1A-02G(2Gb x16 双压)。

Q3

样品与起订量怎么安排?

深圳本地 24 小时样品响应,小批量试产与量产均支持批次可追溯与逐批测试数据归档。